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韦德电子|7纳米良率导致高通受损 三星、高通回应与事实不符

作者:匿名
2020-01-11 16:39:07人气:948

韦德电子|7纳米良率导致高通受损 三星、高通回应与事实不符

韦德电子,三星电子预计以EUV技术为基础的5G产品计划在2019年第四季度开始量产。

新京报讯(记者 梁辰)8月23日,三星电子中国本社在其社交平台上针对近期媒体有关其7纳米EUV相关报道作出回应称,内容与事实完全不符。

此前有媒体报道称,三星电子代工的7纳米5G芯片骁龙SDM7250由于出现了工艺良品率的问题,导致计划将在明年第一季出货的该批次芯片全部报废。对此,高通中国方面亦回复记者称,此为不实消息。

三星电子中国本社在声明中称,其代工业务于2019年4月开始实现7纳米EUV技术的量产。该技术历经长时间的研发并拥有成功量产的经验目前已达成高技术成熟度以及高良品率。EUV先进制成的良率爬坡速度也比之前的制程更快。

此外,三星电子披露,以EUV技术为基础的5G产品计划在2019年第四季度开始量产。


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